IPP200N15N3GXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP200N15N3GXKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 150 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3 V
输入电容 1820 pF
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1820pF @75VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 工业, Industrial, 音频, 电机驱动与控制, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Audio, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPP200N15N3GXKSA1引脚图与封装图
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在线购买IPP200N15N3GXKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP200N15N3GXKSA1 | Infineon 英飞凌 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 搜索库存 |
替代型号IPP200N15N3GXKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP200N15N3GXKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 150V 50A | 当前型号 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | 当前型号 |
| 型号： IPP200N15N3G 品牌： 英飞凌 封装： PG-TO220-3-123 N-Channel | 完全替代 | 150V,50A,N沟道功率MOSFET | IPP200N15N3GXKSA1和IPP200N15N3G的区别 |
| 型号： IPI200N15N3G 品牌： 英飞凌 封装： TO-262AA N-Channel | 完全替代 | OptiMOSâ ?? ¢ 3电晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSâ¢3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM | IPP200N15N3GXKSA1和IPI200N15N3G的区别 |
| 型号： IPP111N15N3G 品牌： 英飞凌 封装： TO-220-3 N-Channel | 类似代替 | OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM | IPP200N15N3GXKSA1和IPP111N15N3G的区别 |