IPP200N15N3G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPP200N15N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-123
外形尺寸
封装 TO-220-3-123
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IPP200N15N3G引脚图与封装图
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在线购买IPP200N15N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP200N15N3G | Infineon 英飞凌 | 150V,50A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IPP200N15N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPP200N15N3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TO220-3-123 N-Channel | 当前型号 | 150V,50A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
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