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KSH117TM、MJD117TF、MJD117G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH117TM MJD117TF MJD117G

描述 Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100VON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A -2.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 2 A

针脚数 - - 4

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1750 mW 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

热阻 - - 71.4℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数(hFE) - - 12000

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 1000 12

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

输入电压 - - 5 V

频率 - 25 MHz -

额定功率 - 1.75 W -

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.1 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99