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MJD117G

ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE

PNP 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


立创商城:
2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管


得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD117G PNP 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE


艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
Transistor; Darlington; Si; PNP; Power; Switch; Vo 100VDC; VI 5VDC; Io 2ADC; PD 20W


安富利:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Rail


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Trans Darlington PNP 100V 2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Rail


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE


DeviceMart:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK


Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


MJD117G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 100 V

输出电流 2 A

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 71.4℃/W RθJA

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 12

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Signal Processing, 工业, 车用, Industrial, 电源管理, Power Management, Automotive, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD117G引脚图与封装图
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在线购买MJD117G
型号 制造商 描述 购买
MJD117G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE 搜索库存
替代型号MJD117G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD117G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK PNP -100V -2A 1750mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE

当前型号

型号: KSH117TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 PNP -100V -2A 1750mW

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型号: MJD117

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 PNP -100V -2A

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MJD117G和MJD117的区别