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KSH117TM
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSH117TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

极性 PNP

耗散功率 1750 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSH117TM引脚图与封装图
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在线购买KSH117TM
型号 制造商 描述 购买
KSH117TM Fairchild 飞兆/仙童 Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin2+Tab DPAK T/R 搜索库存
替代型号KSH117TM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSH117TM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-252 PNP -100V -2A 1750mW

当前型号

Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin2+Tab DPAK T/R

当前型号

型号: MJD117T4

品牌: 安森美

封装: DPAK-3 -100V -2A 1750mW

完全替代

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

KSH117TM和MJD117T4的区别

型号: MJD117TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 PNP -100V -2A 1750mW

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100V

KSH117TM和MJD117TF的区别

型号: MJD117RLG

品牌: 安森美

封装: DPAK PNP 1750mW

类似代替

DPAK PNP 100V 2A

KSH117TM和MJD117RLG的区别