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MJD210G、MJD210TF、MJD210对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD210G MJD210TF MJD210

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD210G  单晶体管 双极, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 hFETransistor, Bjt, Pnp, 25V v(Br)Ceo, 5A i(c), To-252aa互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -25.0 V - -25.0 V

额定电流 -5.00 A - -5.00 A

极性 PNP, P-Channel - PNP

耗散功率 1.4 W - 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 5A - 5A

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 180

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 65 MHz - -

针脚数 3 - -

增益频宽积 65 MHz - -

热阻 10℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 3 - -

耗散功率(Max) 1400 mW 1400 mW -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.38 mm - 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -