MJD210中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
最小包装 2500
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD210引脚图与封装图
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在线购买MJD210
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD210 | ON Semiconductor 安森美 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJD210
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD210 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DPAK-3 PNP -25V -5A | 当前型号 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | 当前型号 |
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| 型号： MJD210TF 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa | MJD210和MJD210TF的区别 |