MJD210TF中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
MJD210TF引脚图与封装图
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在线购买MJD210TF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD210TF | ON Semiconductor 安森美 | Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa | 搜索库存 |
替代型号MJD210TF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD210TF 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： | 当前型号 | Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa | 当前型号 |
| 型号： MJD210T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -25V -5A 1400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJD210T4G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE | MJD210TF和MJD210T4G的区别 |
| 型号： MJD210G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -25V -5A 1400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJD210G 单晶体管 双极, PNP, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 3 hFE | MJD210TF和MJD210G的区别 |
| 型号： MJD210RLG 品牌： 安森美 封装： TO-252 NPN -25V -5A 1400mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MJD210RLG 双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK | MJD210TF和MJD210RLG的区别 |