BSP51,115、BSP52T3G、BC817,215对比区别

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型号 BSP51,115 BSP52T3G BC817,215

描述 NXP  BSP51,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFEON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223NXP  BC817,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

频率 - - 100 MHz

针脚数 3 4 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W 800 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V 45 V

集电极最大允许电流 1A 1A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.25 W 800 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 2000 2000 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 125 W 250 mW

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

输出电压 - 80 V -

输出电流 - 1 A -

热阻 - 156℃/W (RθJA) -

输入电压 - 5 V -

增益带宽 200 MHz - -

长度 6.7 mm 6.7 mm 3 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 1.4 mm

高度 1.7 mm 1.75 mm 1 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-23-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -