BSP51,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BSP51,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.25 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.25 W
直流电流增益hFE 2000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSP51,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP51,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP51,115 | NXP 恩智浦 | NXP BSP51,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE | 搜索库存 |
替代型号BSP51,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP51,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 1250mW | 当前型号 | NXP BSP51,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE | 当前型号 |
| 型号： BSP52T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE | BSP51,115和BSP52T1G的区别 |
| 型号： BC817,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 功能相似 | NXP BC817,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE | BSP51,115和BC817,215的区别 |
| 型号： BSP52T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223 | BSP51,115和BSP52T3G的区别 |