KSH117TF、MJD117G、MJD117T4对比区别
描述 Darlington PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR MJD117G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFESTMICROELECTRONICS MJD117T4 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 4 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V
额定电流 -2.00 A -2.00 A -2.00 A
针脚数 - 4 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 1.75 W 1.75 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 20 W
直流电流增益(hFE) - 12 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 20000 mW
无卤素状态 - Halogen Free -
输出电压 - 100 V -
输出电流 - 2 A -
热阻 - 71.4℃/W (RθJA) -
集电极最大允许电流 2A 2A -
最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -
输入电压 - 5 V -
频率 25 MHz - -
额定功率 1.75 W - -
长度 6.6 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.8 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.38 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99