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MJD117T4

STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE

PNP 复合,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


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MJD117T4


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TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK


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双极BJT达林顿晶体管, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE


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Trans Darlington PNP 100V 2A 20000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MJD117 Series 100 V 2 A PNP Complementary Power Darlington Transistor - TO-252-3


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# STMICROELECTRONICS  MJD117T4  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200


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MJD117T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -2.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 20 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD117T4引脚图与封装图
MJD117T4引脚图

MJD117T4引脚图

MJD117T4封装图

MJD117T4封装图

MJD117T4封装焊盘图

MJD117T4封装焊盘图

在线购买MJD117T4
型号 制造商 描述 购买
MJD117T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE 搜索库存
替代型号MJD117T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD117T4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 PNP -100V -2A 20000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  MJD117T4  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 20 W, -2 A, 200 hFE

当前型号

型号: MJD117T4G

品牌: 安森美

封装: DPAK PNP -100V 2A 1750mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJD117T4G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 25 MHz, 1.75 W, -2 A, 12000 hFE

MJD117T4和MJD117T4G的区别

型号: MJD117G

品牌: 安森美

封装: DPAK PNP -100V -2A 1750mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJD117G  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12 hFE

MJD117T4和MJD117G的区别

型号: MJD117TF

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252-3 PNP -100V -2A 1750mW

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD117TF  双极性晶体管, PNP, -100V

MJD117T4和MJD117TF的区别