FDS6679、TPS1100D、PMK35EP,518对比区别

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型号 FDS6679 TPS1100D PMK35EP,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6679  晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 V单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSMOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

耗散功率 2.5 W 791 mW 6.9 W

漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V

输入电容(Ciss) 3939pF @15V(Vds) - 2100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 791 mW 6.9 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 6.9W (Tc)

额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -

额定电流 -13.0 A -1.60 A -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0073 Ω 0.18 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

输入电容 3.94 nF - -

栅电荷 71.0 nC - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 13.0 A -1.60 A -

上升时间 10 ns 10 ns -

下降时间 65 ns 2 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -

输出电压 - -15.0 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 - NLR -