PMK35EP,518
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 6.9 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2100pF @25VVds
额定功率Max 6.9 W
耗散功率Max 6.9W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PMK35EP,518 | NXP 恩智浦 | MOSFET P-CH FET 30V 14.9A 8-SOIC | 搜索库存 |