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BSS138、BSS138LT1G、2N7000对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS138 BSS138LT1G 2N7000

描述 BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 VN沟道 60V 200A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

额定功率 - 0.225 W 0.35 W

耗散功率 360 mW 225 mW 0.35 W

阈值电压 1.3 V 1.5 V 0.8 V

输入电容(Ciss) 27pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 60pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360 mW 225 mW 350 mW

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.7 Ω 3.5 Ω -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

上升时间 9 ns - -

下降时间 7 ns - -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 200 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 - 1 -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 40pF @25V -

漏源击穿电压 - 50 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 200 mA -

额定功率(Max) - 225 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-92

长度 2.92 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.93 mm 0.94 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -