
针脚数 3
漏源极电阻 0.7 Ω
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 50 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 27pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Motor Drive & Control, Power Management, 工业, 便携式器材, 电机驱动与控制, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

BSS138引脚图

BSS138封装图

BSS138封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BSS138 | ON Semiconductor 安森美 | BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSS138 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23/SC-59 | 当前型号 | BSS138 N沟道MOSFET 50V 220mA/0.22A SOT-23/SC-59 marking/标记 SS 高速开关/无二次击穿 | 当前型号 | |
型号: BSS138LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V | BSS138和BSS138LT1G的区别 | |
型号: BSS138LT3G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷 | BSS138和BSS138LT3G的区别 | |
型号: BSS138K 品牌: 安森美 封装: SOT-23 | 类似代替 | ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装 | BSS138和BSS138K的区别 |