BSS123、BSS123LT1G、BSS123 L6327对比区别

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型号 BSS123 BSS123LT1G BSS123 L6327

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VN 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorINFINEON  BSS123 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 170 mA 170 mA 170 mA

额定功率 250 mW 0.225 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.2 Ω 6 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 mW 225 mW 360 mW

阈值电压 1.7 V 800 mV 1.4 V

输入电容 73.0 pF 20pF @25V 1.20 nF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 170 mA 170 mA 11.6 A

正向电压(Max) - 1.3 V -

输入电容(Ciss) 73pF @25V(Vds) 20pF @25V(Vds) 69pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 225 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.36 W 225mW (Ta) 360 mW

栅电荷 2.50 nC - 49.0 nC

上升时间 9 ns - 3.1 ns

下降时间 2.4 ns - 25 ns

长度 2.92 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -