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MMBT2484LT1、MMBT2484LT3G、MMBT2484LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2484LT1 MMBT2484LT3G MMBT2484LT1G

描述 低噪声晶体管( NPN硅) Low Noise Transistor(NPN Silicon)双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS LN XSTR NPN 60VON SEMICONDUCTOR  MMBT2484LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

针脚数 - - 3

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 300 mW 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @1mA, 5V 250 250 @1mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 250

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

集电极击穿电压 - 60.0 V -

最大电流放大倍数(hFE) - 800 -

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 1.01 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99