MMBT2484LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT2484LT1G引脚图与封装图 
MMBT2484LT1G引脚图
MMBT2484LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT2484LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT2484LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2484LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 60V 100mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2484LT1G 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT2484LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS LN XSTR NPN 60V | MMBT2484LT1G和MMBT2484LT3G的区别 |
| 型号： MMBT2484 品牌： 安森美 封装： SOT-23 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor MMBT2484 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:20, 140 kHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT2484LT1G和MMBT2484的区别 |
| 型号： MMBT2484LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 100mA 300mW | 类似代替 | 低噪声晶体管（ NPN硅） Low Noise TransistorNPN Silicon | MMBT2484LT1G和MMBT2484LT1的区别 |