SIHP22N60E-GE3、SPP20N60C3、SPP20N60C3HKSA1对比区别

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型号 SIHP22N60E-GE3 SPP20N60C3 SPP20N60C3HKSA1

描述 VISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP20N60C3HKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 20.7 A -

额定功率 - 208 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.15 Ω 190 mΩ 190 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 227 W 208 W 208 W

阈值电压 2 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 20.7 A 20.7A

上升时间 68 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1920pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 208 W -

下降时间 54 ns 4.5 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 227 W 208 W 208W (Tc)

长度 10.51 mm 10 mm 10 mm

宽度 4.65 mm 4.4 mm 4.4 mm

高度 9.01 mm 15.65 mm 9.25 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Not Recommended for New Design Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -