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SPP20N60C3

SPP20N60C3

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
SPP20N60C3


欧时:
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3 CoolMOS C3


e络盟:
# INFINEON  SPP20N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


儒卓力:
**CoolMOS 600V 21A 190mOhm TO220 **


力源芯城:
600V,20.7A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220


SPP20N60C3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.7 A

额定功率 208 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.7 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

SPP20N60C3引脚图与封装图
SPP20N60C3引脚图

SPP20N60C3引脚图

SPP20N60C3封装焊盘图

SPP20N60C3封装焊盘图

在线购买SPP20N60C3
型号 制造商 描述 购买
SPP20N60C3 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPP20N60C3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SPP20N60C3

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220-3 N-Channel 650V 20.7A

当前型号

INFINEON  SPP20N60C3..  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: SIHP22N60E-GE3

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel

功能相似

VISHAY  SIHP22N60E-GE3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 21A, TO-220AB-3

SPP20N60C3和SIHP22N60E-GE3的区别

型号: SIHP22N60E-E3

品牌: 威世

封装: TO-220-3 N-Channel

功能相似

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

SPP20N60C3和SIHP22N60E-E3的区别