FDV303N、FDV303N_NB9U008、BSH103,215对比区别

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型号 FDV303N FDV303N_NB9U008 BSH103,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV303N  晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mVMOSFET N-CH 25V 680mA SOT-23NXP  BSH103,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 - 3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.33 Ω 450 mΩ 0.4 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 350 mW 350 mW 750 mW

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 30 V

漏源击穿电压 25.0 V 25 V -

连续漏极电流(Ids) 680 mA 0.68A 850 mA

上升时间 8.5 ns 8.5 ns 3.5 ns

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 50pF @10V(Vds) 83pF @24V(Vds)

下降时间 13 ns 8.5 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 540mW (Ta)

额定电压(DC) 25.0 V - -

额定电流 680 mA - -

额定功率 350 mW - -

针脚数 3 - 3

阈值电压 800 mV - 400 mV

栅源击穿电压 8.00 V - -

额定功率(Max) 350 mW - 540 mW

长度 2.92 mm 2.9 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 1.2 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -