FDV303N_NB9U008
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDV303N_NB9U008中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 0.68A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
下降时间 8.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDV303N_NB9U008引脚图与封装图
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在线购买FDV303N_NB9U008
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDV303N_NB9U008 | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET N-CH 25V 680mA SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号FDV303N_NB9U008
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDV303N_NB9U008 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23-3 N-CH 25V 0.68A | 当前型号 | MOSFET N-CH 25V 680mA SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： FDV303N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 25V 680mA 450mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV | FDV303N_NB9U008和FDV303N的区别 |