FDV303N
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDV303N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 680 mA
额定功率 350 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 680 mA
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDV303N引脚图与封装图 
FDV303N引脚图
FDV303N封装焊盘图
在线购买FDV303N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDV303N | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号FDV303N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDV303N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 25V 680mA 450mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV | 当前型号 |
| 型号： FDV303N_NB9U008 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23-3 N-CH 25V 0.68A | 类似代替 | MOSFET N-CH 25V 680mA SOT-23 | FDV303N和FDV303N_NB9U008的区别 |
| 型号： BSH103,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 30V 850mA | 功能相似 | NXP BSH103,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 400 mV | FDV303N和BSH103,215的区别 |
| 型号： RJK005N03T146 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-346 N-Channel 30V 500mA 650mohms | 功能相似 | N-沟道 200 mW 30 V 0.42 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - SC-59 | FDV303N和RJK005N03T146的区别 |