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DS1270AB-70IND、DS1270AB-70#、DS1270AB-70IND#对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1270AB-70IND DS1270AB-70# DS1270AB-70IND#

描述 IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPIc Nvsram 16Mbit 70ns 36edip

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

引脚数 - 36 -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -

时钟频率 - 70.0 GHz -

存取时间 - 70 ns 70 ns

内存容量 - 16000000 B -

封装 DIP-36 DIP-36 EDIP-36

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 无铅