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DS1270AB-70IND#

DS1270AB-70IND#

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP


贸泽:
NVRAM 16M NV SRAM


DS1270AB-70IND#中文资料参数规格
技术参数

存取时间 70 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

DS1270AB-70IND#引脚图与封装图
DS1270AB-70IND#引脚图

DS1270AB-70IND#引脚图

DS1270AB-70IND#封装图

DS1270AB-70IND#封装图

DS1270AB-70IND#封装焊盘图

DS1270AB-70IND#封装焊盘图

在线购买DS1270AB-70IND#
型号 制造商 描述 购买
DS1270AB-70IND# Maxim Integrated 美信 Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip 搜索库存
替代型号DS1270AB-70IND#
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1270AB-70IND#

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: MOD

当前型号

Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip

当前型号

型号: DS1270Y-70#

品牌: 美信

封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin

类似代替

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

DS1270AB-70IND#和DS1270Y-70#的区别

型号: DS1270Y-70IND#

品牌: 美信

封装: EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin

类似代替

非易失性SRAM NVSRAM, 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36

DS1270AB-70IND#和DS1270Y-70IND#的区别

型号: DS1270AB-70#

品牌: 美信

封装: 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin

类似代替

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

DS1270AB-70IND#和DS1270AB-70#的区别