DS1270AB-70#
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1270AB-70#中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 16000000 B
电源电压 4.75V ~ 5.25V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 DIP-36
外形尺寸
封装 DIP-36
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
DS1270AB-70#引脚图与封装图 
DS1270AB-70#引脚图
DS1270AB-70#封装图
DS1270AB-70#封装焊盘图
在线购买DS1270AB-70#
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1270AB-70# | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | 搜索库存 |
替代型号DS1270AB-70#
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1270AB-70# 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | 当前型号 |
| 型号： DS1270AB-70 品牌： 美信 封装： 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | DS1270AB-70#和DS1270AB-70的区别 |
| 型号： DS1270Y-70# 品牌： 美信 封装： EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin | 功能相似 | IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP | DS1270AB-70#和DS1270Y-70#的区别 |
| 型号： DS1270Y-70IND# 品牌： 美信 封装： EDIP-36 16000000B 5V 70ns 36Pin | 功能相似 | 非易失性SRAM NVSRAM, 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36 | DS1270AB-70#和DS1270Y-70IND#的区别 |