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DS1270AB-70IND

DS1270AB-70IND

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 16Mb(2M x 8) 并联 70 ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP


DS1270AB-70IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-36

外形尺寸

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

DS1270AB-70IND引脚图与封装图
DS1270AB-70IND引脚图

DS1270AB-70IND引脚图

DS1270AB-70IND封装图

DS1270AB-70IND封装图

DS1270AB-70IND封装焊盘图

DS1270AB-70IND封装焊盘图

在线购买DS1270AB-70IND
型号 制造商 描述 购买
DS1270AB-70IND Maxim Integrated 美信 IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP 搜索库存
替代型号DS1270AB-70IND
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1270AB-70IND

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: MOD

当前型号

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

当前型号

型号: DS1270AB-70#

品牌: 美信

封装: 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin

完全替代

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

DS1270AB-70IND和DS1270AB-70#的区别

型号: DS1270AB-70

品牌: 美信

封装: 36-DIP 16000000B 5V 70ns 36Pin

完全替代

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

DS1270AB-70IND和DS1270AB-70的区别

型号: DS1270AB-70IND#

品牌: 美信

封装: MOD

类似代替

Ic Nvsram 16Mbit 70ns 36edip

DS1270AB-70IND和DS1270AB-70IND#的区别