BSS138LT3G、BVSS138LT1G、BSS138LT1G对比区别

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型号 BSS138LT3G BVSS138LT1G BSS138LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 5.6 Ω 3.5 Ω 3.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

阈值电压 500 mV 1.5 V 1.5 V

输入电容 50.0 pF - 40pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50.0 V - 50 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 0.2A 200 mA

输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225 mW 225mW (Ta) 225 mW

额定功率 - - 0.225 W

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99