锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

数据手册.pdf

BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3

N-Channel 50V 200mA Ta 225mW Ta Surface Mount SOT-23-3


立创商城:
BVSS138LT1G


得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3


欧时:
NFET SOT23 50V 200MA 3.5O


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BVSS138LT1G  MOSFET, N-CH, 50V, 0.2A, SOT-23 New


Win Source:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3


BVSS138LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.2A

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

BVSS138LT1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BVSS138LT1G
型号 制造商 描述 购买
BVSS138LT1G ON Semiconductor 安森美 BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3 搜索库存
替代型号BVSS138LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BVSS138LT1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23-3 N-Channel 50V 0.2A

当前型号

BVSS138L 系列 50 V 200 mA 3.5 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 Mosfet - SOT-23-3

当前型号

型号： BSS138LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 V

BVSS138LT1G和BSS138LT1G的区别

型号： BSS138LT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 N-Channel 50V 200mA 3.5ohms 50pF

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BSS138LT3G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷

BVSS138LT1G和BSS138LT3G的区别