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2N6038G、BD677、BD677AG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6038G BD677 BD677AG

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6038G  达林顿双极晶体管STMICROELECTRONICS  BD677  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -60.0 V

额定电流 4.00 A 4.00 A -4.00 A

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @2A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @2A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

直流电流增益(hFE) 15 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40 W 40000 mW 40000 mW

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

集电极最大允许电流 4A - 4A

输出电压 60 V - -

输出电流 4 A - -

热阻 83.3℃/W (RθJA) - -

最大电流放大倍数(hFE) 15000 - -

输入电压 5 V - -

长度 11.04 mm 7.8 mm 7.74 mm

宽度 2.66 mm 2.7 mm 2.66 mm

高度 2.66 mm 10.8 mm 11.04 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99