
额定电压DC 60.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 60 V
输出电流 4 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 40 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 83.3℃/W RθJA
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 750 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 15000
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40 W
输入电压 5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-225-3
长度 11.04 mm
宽度 2.66 mm
高度 2.66 mm
封装 TO-225-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6038G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-225-3 NPN 60V 4A 40000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N6038G 达林顿双极晶体管 | 当前型号 | |
型号: BD677A 品牌: 意法半导体 封装: SOT-32 NPN 60V 4A 40000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD677A 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | 2N6038G和BD677A的区别 | |
型号: BD677 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 NPN 60V 4A 40000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD677 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE | 2N6038G和BD677的区别 | |
型号: MJE800STU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 60V 4A 40000mW | 功能相似 | NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 2N6038G和MJE800STU的区别 |