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BD677
ST Microelectronics 意法半导体 分立器件

STMICROELECTRONICS  BD677  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

NPN 复合,STMicroelectronics

### 双极晶体管,STMicroelectronics

STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。


欧时:
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得捷:
TRANS NPN DARL 60V 4A SOT32-3


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BD677


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单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE


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Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin3+Tab SOT-32 Tube


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Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 40W; SOT32


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# STMICROELECTRONICS  BD677  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750


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TRANS DARL NPN 60V SOT-32


BD677中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 4.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 750

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

宽度 2.7 mm

高度 10.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD677引脚图与封装图
BD677引脚图

BD677引脚图

BD677封装图

BD677封装图

BD677封装焊盘图

BD677封装焊盘图

在线购买BD677
型号 制造商 描述 购买
BD677 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  BD677  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE 搜索库存
替代型号BD677
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD677

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 NPN 60V 4A 40000mW

当前型号

STMICROELECTRONICS  BD677  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

当前型号

型号: BD677A

品牌: 意法半导体

封装: SOT-32 NPN 60V 4A 40000mW

类似代替

STMICROELECTRONICS  BD677A  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

BD677和BD677A的区别

型号: 2N6038G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 60V 4A 40000mW

功能相似

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BD677和2N6038G的区别

型号: MJE800G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 NPN 60V 4A 40000mW

功能相似

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BD677和MJE800G的区别