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AUIRL3705ZSTRL、IRL3705ZS、IRL3705ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRL3705ZSTRL IRL3705ZS IRL3705ZSPBF

描述 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3D2PAK N-CH 55V 86AMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 1 - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 130W (Tc) 130W (Tc) 130 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 75.0 A

上升时间 240 ns - 240 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)

下降时间 83 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) -

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 86.0 A

漏源极电阻 - - 12 mΩ

产品系列 - - IRL3705ZS

阈值电压 - - 3 V

输入电容 - - 2880pF @25V

漏源击穿电压 - - 55 V

额定功率(Max) - - 130 W

长度 10 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - -

高度 4.4 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17