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IRL3705ZS
Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 55V 86A

表面贴装型 N 通道 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK


IRL3705ZS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 86A

输入电容Ciss 2880pF @25VVds

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRL3705ZS引脚图与封装图
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IRL3705ZS Infineon 英飞凌 D2PAK N-CH 55V 86A 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRL3705ZS

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 86A

当前型号

D2PAK N-CH 55V 86A

当前型号

型号: AUIRL3705ZS

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 86A

完全替代

N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IRL3705ZS和AUIRL3705ZS的区别

型号: AUIRL3705ZSTRL

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 86A

完全替代

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IRL3705ZS和AUIRL3705ZSTRL的区别

型号: IRL3705ZSTRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 55V 86A

类似代替

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IRL3705ZS和IRL3705ZSTRLPBF的区别