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IRL3705ZSPBF

IRL3705ZSPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**

Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 86A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


IRL3705ZSPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 86.0 A

漏源极电阻 12 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 130 W

产品系列 IRL3705ZS

阈值电压 3 V

输入电容 2880pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

上升时间 240 ns

输入电容Ciss 2880pF @25VVds

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

IRL3705ZSPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRL3705ZSPBF International Rectifier 国际整流器 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16 搜索库存
替代型号IRL3705ZSPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRL3705ZSPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 75A

当前型号

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDSON 6.5Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 130W; VGS +/-16

当前型号

型号: STB140NF55T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 55V 80A 8mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

IRL3705ZSPBF和STB140NF55T4的区别

型号: STB80NF55-08T4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 55V 80A 8mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB80NF55-08T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 16 V, 3 V

IRL3705ZSPBF和STB80NF55-08T4的区别