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2N6668、BDX33C、TIP32CG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6668 BDX33C TIP32CG

描述 硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTORSTMICROELECTRONICS  BDX33C  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  TIP32CG  单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -80.0 V - -100 V

额定电流 -10.0 A - -3.00 A

耗散功率 65 W 70 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 3V 750 @3A, 3V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 65 W 70 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 - - 3 MHz

针脚数 - 3 3

极性 - NPN PNP, P-Channel

增益频宽积 - - 3 MHz

热阻 - - 3.125℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 3A

直流电流增益(hFE) - 750 10

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 70000 mW 2000 mW

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.28 mm

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8541290095