2N6668中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 3V
额定功率Max 65 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6668引脚图与封装图
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在线购买2N6668
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6668 | ST Microelectronics 意法半导体 | 硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号2N6668
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6668 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 -80V -10A | 当前型号 | 硅PNP功率达林顿晶体管 SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BDX33C 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 70000mW | 类似代替 | STMICROELECTRONICS BDX33C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE | 2N6668和BDX33C的区别 |
| 型号： TIP112 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN 100V 2A 2000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP112. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 500 hFE | 2N6668和TIP112的区别 |
| 型号： TIP125 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 PNP -60V -5A 2000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS TIP125 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -60 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE | 2N6668和TIP125的区别 |