2N7002ET1G、RUR040N02TL、2N7002E-T1-E3对比区别

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型号 2N7002ET1G RUR040N02TL 2N7002E-T1-E3

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 VROHM  RUR040N02TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mVVISHAY  2N7002E-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 240mA TO-236, 整卷

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

无卤素状态 Halogen Free - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.86 Ω 0.025 Ω 3 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 420 mW 1 W 350 mW

阈值电压 1 V 300 mV 2 V

输入电容 26.7 pF - -

漏源极电压(Vds) 60 V 20 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 310 mA - 240 mA

上升时间 1.2 ns 30 ns -

正向电压(Max) 1.2 V - -

输入电容(Ciss) 26.7pF @25V(Vds) 680pF @10V(Vds) 21pF @5V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 1 W -

下降时间 3.6 ns 60 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 1W (Ta) 350 mW

漏源击穿电压 - - 70.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.6 mm -

高度 0.94 mm 0.8 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-236

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -