RUR040N02TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUR040N02TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 680pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RUR040N02TL引脚图与封装图 
RUR040N02TL引脚图
RUR040N02TL封装图
RUR040N02TL封装焊盘图
在线购买RUR040N02TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUR040N02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RUR040N02TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mV | 搜索库存 |
替代型号RUR040N02TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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