FDD6690A、STD40NF03LT4、STD30NF03LT4对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDD6690A STD40NF03LT4 STD30NF03LT4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 VSTMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 46.0 A 40.0 A 30.0 A

额定功率 - - 50 W

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0077 Ω 0.009 Ω 0.02 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 80 W 50 W

阈值电压 1.9 V 1 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 46.0 A 20.0 A 30.0 A

上升时间 7 ns 165 ns 205 ns

输入电容(Ciss) 1230pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 830pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 80 W 50 W

下降时间 12 ns 25 ns 240 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 56W (Tc) 80W (Tc) 50W (Tc)

输入电容 1.23 nF - -

栅电荷 13.0 nC - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99