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STD40NF03LT4

STD40NF03LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V

表面贴装型 N 通道 40A(Tc) 80W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK


立创商城:
N沟道 30V 40A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.009 ohm, 10 V, 1 V


艾睿:
This STD40NF03LT4 power MOSFET from STMicroelectronics can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 80000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V


Win Source:
N-channel 30V - 0.0090ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET


STD40NF03LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 40.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 1440pF @25VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.2 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 计算机和计算机周边, 电源管理, Power Management, Computers & Computer Peripherals, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD40NF03LT4引脚图与封装图
STD40NF03LT4封装焊盘图

STD40NF03LT4封装焊盘图

在线购买STD40NF03LT4
型号 制造商 描述 购买
STD40NF03LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V 搜索库存
替代型号STD40NF03LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD40NF03LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 30V 20A 9mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD40NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V

当前型号

型号: FDD6690A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 30V 46A 12mohms 1.23nF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V

STD40NF03LT4和FDD6690A的区别

型号: FDD8878

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 30V 40A 11mohms 880pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD8878  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

STD40NF03LT4和FDD8878的区别

型号: IRLR3103TRPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 30V 55A

功能相似

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.019Ω; ID 55A; D-Pak TO-252AA; PD 107W

STD40NF03LT4和IRLR3103TRPBF的区别