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STD30NF03LT4

STD30NF03LT4

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V

表面贴装型 N 通道 30A(Tc) 50W(Tc) DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STD30NF03LT4 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 50000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


富昌:
STD30NF03L Series N-Channel 30 V 0.025 Ω STripFET II Power MosFet - TO-252-3


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 50W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V


儒卓力:
**N-CH 30V 30A 25mOhm TO252-3 **


力源芯城:
30V,0.02Ω,30A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK


STD30NF03LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

额定功率 50 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 205 ns

输入电容Ciss 830pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 240 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, Automotive, 车用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD30NF03LT4引脚图与封装图
STD30NF03LT4引脚图

STD30NF03LT4引脚图

STD30NF03LT4封装图

STD30NF03LT4封装图

STD30NF03LT4封装焊盘图

STD30NF03LT4封装焊盘图

在线购买STD30NF03LT4
型号 制造商 描述 购买
STD30NF03LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V 搜索库存
替代型号STD30NF03LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STD30NF03LT4

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 30V 30A 20mohms

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD30NF03LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V

当前型号

型号: FDD6690A

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-252 N-Channel 30V 46A 12mohms 1.23nF

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V

STD30NF03LT4和FDD6690A的区别

型号: IRFR3303TRPBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 30V 33A

功能相似

Trans MOSFET N-CH 30V 33A 3Pin2+Tab DPAK T/R

STD30NF03LT4和IRFR3303TRPBF的区别

型号: IRLR3303PBF

品牌: 国际整流器

封装: TO-252 N-Channel 30V 35A

功能相似

Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3Pin2+Tab DPAK

STD30NF03LT4和IRLR3303PBF的区别