FDD6690A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6690A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 46.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0077 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1.9 V
输入电容 1.23 nF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1230pF @15VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 56W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6690A引脚图与封装图
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在线购买FDD6690A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6690A | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDD6690A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6690A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 46A 12mohms 1.23nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6690A 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 |
| 型号： STD30NF03LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 30A 20mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.02 ohm, 4.5 V, 1.7 V | FDD6690A和STD30NF03LT4的区别 |
| 型号： STD40NF03LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 20A 9mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD40NF03LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1 V | FDD6690A和STD40NF03LT4的区别 |