IRFP4229PBF、IRFP4768PBF、IRFP254PBF对比区别

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型号 IRFP4229PBF IRFP4768PBF IRFP254PBF

描述 INFINEON  IRFP4229PBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 44 A, 300 V, 38 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  IRFP4768PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 310 W 520 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.038 Ω 0.0145 Ω 0.14 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 310 W 520 W 190 W

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 4560 pF 10880 pF 2700pF @25V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 44A 93A 23.0 A

上升时间 27 ns 160 ns 63 ns

输入电容(Ciss) 4560pF @25V(Vds) 10880pF @50V(Vds) 2700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 520 W -

下降时间 19 ns 110 ns 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310W (Tc) 520W (Tc) 190 W

漏源击穿电压 - - 250 V

长度 15.87 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.3 mm 20.7 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99