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MUN5131T1G、PDTA114TEF,115、MUN5131T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5131T1G PDTA114TEF,115 MUN5131T1

描述 MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323SC-89 PNP 50V 100mAPNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SOT-490 SC-70-3

引脚数 3 - -

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 200 @1mA, 5V 8 @5mA, 10V

额定功率(Max) 202 mW 150 mW 202 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

耗散功率 0.31 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 310 mW - -

封装 SC-70-3 SOT-490 SC-70-3

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

ECCN代码 EAR99 - -