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MUN5131T1G

MUN5131T1G

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MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3


立创商城:
MUN5131T1G


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


MUN5131T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5131T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN5131T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN5131T1G ON Semiconductor 安森美 MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323 搜索库存
替代型号MUN5131T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MUN5131T1G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

当前型号

MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323

当前型号

型号： MUN5131T1

品牌： 安森美

封装： SOT-323 PNP -50V -100mA

完全替代

PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

MUN5131T1G和MUN5131T1的区别

型号： MUN5131DW1T1G

品牌： 安森美

封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW

功能相似

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

MUN5131T1G和MUN5131DW1T1G的区别

型号： PDTA114TEF,115

品牌： 恩智浦

封装： SC-89 PNP

功能相似

SC-89 PNP 50V 100mA

MUN5131T1G和PDTA114TEF,115的区别