锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

PDTA114TEF,115

PDTA114TEF,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SC-89 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-89


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89


PDTA114TEF,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-490

外形尺寸

封装 SOT-490

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PDTA114TEF,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PDTA114TEF,115
型号 制造商 描述 购买
PDTA114TEF,115 NXP 恩智浦 SC-89 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号PDTA114TEF,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PDTA114TEF,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-89 PNP

当前型号

SC-89 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: PDTA114TE,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-75 PNP

类似代替

SC-75 PNP 50V 100mA

PDTA114TEF,115和PDTA114TE,115的区别

型号: PDTA114TE

品牌: 恩智浦

封装:

类似代替

PDTA114TE 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 200 0.15W/150mW SOT-23/SC-59 标记W03 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

PDTA114TEF,115和PDTA114TE的区别

型号: MUN5131T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

功能相似

MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm PNP 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-323

PDTA114TEF,115和MUN5131T1G的区别