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MMBT2222、MMBT2222A_D87Z、MMBT2222ALT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222 MMBT2222A_D87Z MMBT2222ALT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General PurposeON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - - 300 MHz

额定电压(DC) 30.0 V - 40.0 V

额定电流 600 mA - 600 mA

额定功率 - - 225 mW

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 350 mW 225 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 1A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 350 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 300 - 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

长度 - 2.92 mm 2.9 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.93 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR