耗散功率 3.1 W
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 4500pF @20VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
封装 PowerTDFN-8
材质 Silicon
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
CSD18511Q5A引脚图
CSD18511Q5A封装图
CSD18511Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18511Q5A | TI 德州仪器 | CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18511Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： | 当前型号 | CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 当前型号 |
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